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集積回路の破片IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiCの堀MOSFETのトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiCの堀MOSFETのトランジスター

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集積回路の破片IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiCの堀MOSFETのトランジスター 集積回路の破片IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiCの堀MOSFETのトランジスター

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMBG120R060M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-8
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiCの堀MOSFETのトランジスター

記述
部品番号: IMBG120R060M1H 脈打った下水管の流れ: 94A
電力損失、TC = 25°C: 181W 電力損失、TC = 100°C: 90W
はんだ付けする温度: 260°C Qg -ゲート充満: 34 NC

集積回路の破片IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiCの堀MOSFETのトランジスター

 

IMBG120R060M1Hの製品の説明

IMBG120R060M1Hは.XTの相互連結の技術のCoolSiC™ 1200V SiCの堀MOSFETのN-Channelのトランジスターである。

 

IMBG120R060M1Hの指定

部品番号: IMBG120R060M1H
PG-TO263-7
1つのチャネル
1.2 kV
36 A
83のmOhms
- 7ボルト、+ 23ボルト

 

IMBG120R060M1Hの適用

  • エネルギー生成-太陽ひもインバーターおよび太陽オプティマイザ
  • 産業電源-産業UPS

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
XC7A100T-2FG484C 484-BBGA
XC7A100T-2CSG324C BGA324
XC7A100T-L2FGG676E BGA676
XC7A100T-L2FTG256E BGA256
XC7A100T-1FG484C 484-BBGA
XC7A100T-3CSG324E BGA324


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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