集積回路の破片IMBG120R090M1H Trenchstop IGBTのトランジスターTO-263-8

集積回路の破片IMBG120R090M1H Trenchstop IGBTのトランジスターTO-263-8

IMBG120R090M1Hの製品の説明

IMBG120R090M1HはCoolSiC™ 1200V SiCの堀MOSFETのN-Channel 1200V 26Aの表面の台紙、パッケージであるTO-263-8のDの²朴（7つの鉛+タブ）である。

IMBG120R090M1Hの指定

IMBG120R090M1Hの特徴

• 源の電圧（Vdss）に流出させなさい:1200ボルト
• 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:26A （Tc）
• （最高） @ ID、VgsのRds:125mOhm @ 8.5A、18V
• Vgs （（最高） Th） @ ID:5.7V @ 3.7mA

在庫の他の電子部品

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。