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分離した半導体のトランジスターIMBG120R350M1H TO-263-8表面の台紙

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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分離した半導体のトランジスターIMBG120R350M1H TO-263-8表面の台紙

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大画像 :  分離した半導体のトランジスターIMBG120R350M1H TO-263-8表面の台紙

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMBG120R350M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-8
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

分離した半導体のトランジスターIMBG120R350M1H TO-263-8表面の台紙

記述
部品番号: IMBG120R350M1H 脈打ったボディ ダイオード流れ: 169 A
短絡の抵抗の時間: 3つのµs 電力損失: 300W
保管温度: 55-150 °C 熱抵抗: 62 K/W

分離した半導体のトランジスターIMBG120R350M1H TO-263-8表面の台紙

 

IMBG120R350M1Hの製品の説明

最高にクラスのRDS ()およびより広い安全運転区域(SOA)によるIMBG120R350M1Hは装置電池式の適用(BPA)および電池の管理システム(BMS)にとってまた理想的である。

 

IMBG120R350M1Hの指定

部品番号:

IMBG120R350M1H

入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds:

2290 PF @ 800ボルト

FETの特徴:

標準

実用温度:

-55°C | 175°C (TJ)

短絡の抵抗の時間:

3つのµs

基準のゲートの境界の電圧:

4.5V

 

IMBG120R350M1Hの潜在的な適用

  • ドライブ

  • 下部組織–充電器

  • エネルギー生成-太陽ひもインバーターおよび太陽オプティマイザ

  • 産業電源-産業UPS

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

ADSP-SC584CBCZ-5A

BGA349

ADUC7061BCPZ32

LFCSP32

ADUC841BSZ62-3

QFP-52

S32G399AACK1VUCT

100-TQFP

DP83TC812RRHARQ1

VQFN-36

CYT2B94CACQ0AZEGS

80-LQFP


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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