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集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4

集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4
集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4

大画像 :  集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMZ120R030M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-4
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4

記述
部品番号: IMZ120R030M1H シリーズ: CoolSiC™
FETのタイプ: N-Channel Vgs (最高): +23V、-7V
タイプの取付け: 穴を通して 製造者装置パッケージ: PG-TO247-4-1

集積回路の破片IMZ120R030M1Hの炭化ケイ素のN-ChannelのトランジスターTO-247-4

 

IMZ120R030M1Hの製品の説明

IMZ120R030M1Hは穴を通って1200V N-Channelの単一のFETsのMOSFETsのトランジスター、パッケージであるTO-247-4、である。

 

IMZ120R030M1Hの指定

部品番号 IMZ120R030M1H
技術
SiCFET (炭化ケイ素)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
15V、18V
(最高) @ ID、VgsのRds
40mOhm @ 25A、18V
Vgs (最高)
+23V、-7V
実用温度
-55°C | 175°C (TJ)

 

IMZ120R030M1Hの特徴

  • 下水管源の電圧、Tvjの≥ 25°C:1200V
  • 脈打った下水管現在の150A、TPはTvjmax、VGS = 18Vによって限った
  • 3µs短絡の抵抗の時間、VDD = 800V、VDSのピーク < 1200V="">

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
XA6SLX75-3FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-2FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-3CSG484Q 484-CSPBGA
XA6SLX75-2CSG484Q 484-CSPBGA
XA6SLX100-2FGG484I 484-BBGA
XA6SLX100-2FGG484Q FCBGA-484


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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