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商品の詳細:
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| 部品番号: | IMBG65R022M1H | シリーズ: | CoolSiC™ |
|---|---|---|---|
| VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 5.7V | Qg -ゲート充満: | 67 NC |
| 最低の実用温度: | - 55℃ | 最高使用可能温度: | + 175℃ |
集積回路の破片IMBG65R022M1H 650VのN-Channelの炭化ケイ素MOSFET
IMBG65R022M1Hの製品の説明
IMBG65R022M1HのN-Channel 650 V 64A （Tc）の300W （Tc）表面の台紙のページTO263 7 12.COOLSICは高温および粗い環境の塗布の使用のための完全な適合である。
IMBG65R022M1Hの指定
| 部品番号: | IMBG65R022M1H | Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 650ボルト |
|---|---|---|---|
| トランジスター極性: | N-Channel | ID -連続的な下水管の流れ: | 33 A |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 94 MOhms | Vgs -ゲート源の電圧: | - 5ボルト、+ 23ボルト |
IMBG65R022M1Hの特徴
IMBG65R022M1Hの適用
他の供給の製品タイプ
| 部品番号 | パッケージ |
| MRFE6VP5600HR6 | NI-1230 |
| OPA551FAKTWT | TO-263 |
| SIA408DJ-T1-GE3 | QFN6 |
| PTFA092213EL | SMD |
| UCLAMP0505A | SOT666 |
| DHR200C420 | モジュール |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
