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堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3

堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3
Trench Silicon Carbide MOSFET IMW120R350M1H Integrated Circuit Chip TO-247-3
堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3 堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3

大画像 :  堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMW120R350M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3

記述
部品番号: IMW120R350M1H タイプの取付け: 穴を通して
製造者装置パッケージ: TO-247-3 シリーズ: CoolSiC™
(最高) @ ID、VgsのRds: 455mOhm @ 2A、18V FETのタイプ: N-Channel

堀の炭化ケイ素MOSFET IMW120R350M1Hの集積回路の破片TO-247-3

 

IMW120R350M1Hの製品の説明

IMW120R350M1HはTO247-3パッケージの1200のV CoolSiC™の堀の炭化ケイ素のMOSFETsである。

 

IMW120R350M1Hの指定

部品番号 IMW120R350M1H
Vgs (最高)
+23V、-7V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
182 pF @ 800ボルト
電力損失(最高)
60W (Tc)
実用温度
-55°C | 175°C (TJ)


IMW120R350M1Hの特徴

  • 最高にクラスの切換えおよび伝導の損失
  • 基準の高い境界の電圧、Vth > 4ボルト
  • 簡単で、容易なゲート ドライブのための0 Vのturn-offゲートの電圧
  • 広範囲ゲート源電圧
  • 堅い代わりのための低損失および強いボディ ダイオード
  • 温度のスイッチ損失の独立者

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
DP83TD510ERHBR VQFN32
KSZ8775CLXCC LQFP80
ADIN2299BBCZ BGA-196
SJA1105ELY LFBGA-159
88E1548-A1-BAM2C000 TFBGA196
KSZ8842-16MVLI LQFP128

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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