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穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3

穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3
穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMW65R107M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3

記述
部品番号: IMW65R107M1H 事実上の接合部温度: -55- 175 °C
下水管源の電圧: 1200V トルクの取付け: 0.6 Nm
ボディ ダイオード前方電圧: 5.2 V ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ: 165 µA

穴を通した集積回路の破片IMW65R107M1HのN-ChannelのトランジスターTO-247-3

 

IMW65R107M1Hの製品の説明

IMW65R107M1HのMOSFETsに共鳴地勢学で優秀で堅い代わりの強さがあり、使用法を可能にする。装置は高められたバス電圧の設計のための余分安全マージンを提供する。

 

IMW65R107M1Hの指定

部品番号

IMW65R107M1H

電力損失(最高)

75W (Tc)

実用温度

-55°C | 150°C (TJ)

タイプの取付け

穴を通して

製造者装置パッケージ

PG-TO247-3-41

パッケージ/場合

TO-247-3


IMW65R107M1H特徴

  • CoolMOS™の最高にクラスの質および信頼性

  • THDおよびSMDのパッケージの最高にクラスのRDS ()

  • ESDの保護min.のクラス2 (HBM)

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

CY8C4246AZS-M443

TQFP-44

CY8C4247LWA-M464T

QFN-56

CY8C4245AZA-M445

TQFP-44

SPC5746RK1MMT5

BGA252

SPC5643LF2MLQ1

LQFP144

SPC5602PEF0MLL6R

QFP-100

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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