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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W シングルFET MOSFETトランジスタ統合回路チップ TO-247-4 パッケージ

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認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W シングルFET MOSFETトランジスタ統合回路チップ TO-247-4 パッケージ

IMZA65R048M1H 650V 20A 75W シングルFET MOSFETトランジスタ統合回路チップ TO-247-4 パッケージ
IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Single FET MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip TO-247-4 Package
IMZA65R048M1H 650V 20A 75W シングルFET MOSFETトランジスタ統合回路チップ TO-247-4 パッケージ IMZA65R048M1H 650V 20A 75W シングルFET MOSFETトランジスタ統合回路チップ TO-247-4 パッケージ

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMZA65R048M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-4
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタンユニオン
連絡先

IMZA65R048M1H 650V 20A 75W シングルFET MOSFETトランジスタ統合回路チップ TO-247-4 パッケージ

記述
部品番号: IMZA65R048M1H Vgs: -5 - 23ボルト
ゲート源の漏出流れ: 100 Na ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ: 150 µA
ゲートの抵抗: 6.0 Ω オープン・ドレイン: 1MHz

IMZA65R048M1H 統合回路チップ 650V 20A 75W シングルFET MOSFET トランジスタ TO-247-4 パッケージ
製品概要

IMZA65R048M1H 高電子移動トランジスタ (HEMT) は,最小の切り替え損失で高速なオン・オフ速度を提供します.

仕様
部品番号: IMZA65R048M1H 仮想交差点温度: -55〜175 °C
排水源電圧: 1200V マウントトルク: 0.6 Nm
ボディダイオード前向き電圧: 5.2V ゼロゲート ストレージ 流出電流: 165 μA
主要 な 特徴
  • 強化モードトランジスタ,通常はOFFスイッチ
  • GaN HEMT 小型形状要素の鉛のないSMDパッケージ
  • GaN に合わせた資格
  • 超高速切換
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よく 聞かれる 質問
Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプル注文と小規模な注文をサポートします.サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A:私たちはDHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどのエクスプレスで出荷します.また,あなたの提案された転送業者でも使用できます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品ダメージに対して責任を負います..
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

タグ:

集積回路の破片24-PQFN,

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連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)

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