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集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET

集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET
Integrated Circuit Chip IMW120R220M1H 220mΩ N-Channel Transistors TO-247-3 SiCFET
集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET 集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMW120R220M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET

記述
部品番号: IMW120R220M1H シス: 289 pF
コス: 16 pF ID (@25°C)最高: 13 A
Ptot (@25°C)最高: 75 W TJ (MAX): 175℃

集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET

 

IMW120R220M1Hの製品の説明

IMW120R220M1Hはハード切換えおよび共鳴転換の地勢学両方のために適したTO247-3パッケージの1200ボルトCoolSiC™の堀タイプの炭化ケイ素MOSFETのmonotubeである。

 

IMW120R220M1Hの指定

部品番号 IMW120R220M1H
パッケージ TO-247-3
ピン・カウント 3つのピン
極性 N
QG (タイプ@18V) 8.5 NC
Qgd 2 NC
資格 産業
RDS () (@ Tj = 25°C) 220 mΩ


IMW120R220M1Hの図表

集積回路の破片IMW120R220M1H 220mΩのN-ChannelのトランジスターTO-247-3 SiCFET 0

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
CYT2B93CACQ0AZEGS SMD
CY9AF144NAPMC-G-MNK1E2 LQFP100
CY9AF141LAPMC1-G-MNE2 LQFP
CY9AF141MAPMC-G-MNE2 LQFP
CY9AF144NAPMC-G-MNE2 LQFP
CY8C4247AZA-M485 QFP64

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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