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集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター

集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター
Integrated Circuit Chip IMBF170R650M1 MOSFETs Discrete Semiconductor Transistors
集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター 集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター

大画像 :  集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMBF170R650M1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-8
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター

記述
部品番号: IMBF170R650M1 相互コンダクタンス: 0.65 S
内部ゲートの抵抗: 25.4 Ω 出力キャパシタンス: 12 pF
COSSの蓄積エネルギー: 2 µJ 総ゲート充満: 8 NC

集積回路の破片IMBF170R650M1のMOSFETsの分離した半導体のトランジスター

 

IMBF170R650M1の製品の説明

IMBF170R650M1 N-channel、強化モードMOSFETsはまた23.0nC逆の回復充満に極端に低い22.7nCを特色にする。

 

IMBF170R650M1の指定

部品番号:

IMBF170R650M1

VGS:

-5 - 23ボルト

ゲート源の漏出流れ:

100 NA

ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ:

150 µA

ゲートの抵抗:

6.0 Ω

開いた下水管:

1MHz


IMBF170R650M1特徴

  • AEC-Q101を越える延長資格

  • 高められた電気テスト

  • 強い設計

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

MSC080SMA120

TO-247

MSC015SMA070

TO-247

MSC035SMA070

TO-247

MSC090SMA070

TO-247-3

MSC750SMA170

TO-247-3

MSC017SMA120

TO-247

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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