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商品の詳細:
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| 部品番号: | IMZA65R039M1H | パッケージ/場合: | TO-247-4 |
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| トランジスター極性: | N-Channel | Qg -ゲート充満: | 41 NC |
| Pd -電力損失: | 176 W | 実用温度: | -55°C | 175°C （TJ） |
集積回路の破片IMZA65R039M1Hの炭化ケイ素TO-247-4のN-Channelのトランジスター
IMZA65R039M1Hの製品の説明
IMZA65R039M1Hは650V CoolSiC M1 SiCの堀力装置、ケルビンの源提供するより低く損失を転換する4倍までである。
IMZA65R039M1Hの指定
| 部品番号 | IMZA65R039M1H |
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1393 pF @ 400ボルト
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技術
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SiCFET （炭化ケイ素）
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Vgs （最高）
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+20V、-2V
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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41 NC @ 18ボルト
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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18V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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50mOhm @ 25A、18V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5.7V @ 7.5mA
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IMZA65R039M1Hの特徴
他の供給の製品タイプ
| 部品番号 | パッケージ |
| CY8C4247AZS-M475 | TQFP-44 |
| CY8C4247LWS-M464 | QFN-56 |
| CY8C4246AZA-M443T | TQFP-44 |
| CY8C4247AZA-M475 | TQFP-44 |
| CY8C4247LWA-M484 | QFN-56 |
| SPC5642AF2MVZ1 | SMD |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
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