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650VトランジスターIMW65R057M1H N-Channelの炭化ケイ素のMOSFETs TO-247-3の単一のFETs

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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650VトランジスターIMW65R057M1H N-Channelの炭化ケイ素のMOSFETs TO-247-3の単一のFETs

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650V Transistors IMW65R057M1H N-Channel Silicon Carbide MOSFETs TO-247-3 Single FETs
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMW65R057M1H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

650VトランジスターIMW65R057M1H N-Channelの炭化ケイ素のMOSFETs TO-247-3の単一のFETs

記述
部品番号: IMW65R057M1H VDS@TJ =25°C: 650V
RDS ()、タイプ: 57mΩ 最高RDS (): 74mΩ
Qoss@400V: 65nC Eoss@400V: 9.8µJ

650VトランジスターIMW65R057M1H N-Channelの炭化ケイ素のMOSFETs TO-247-3の単一のFETs

 

IMW65R057M1Hの製品の説明

IMW65R057M1Hはより高い流れで、穴を通って、650のV 35A (Tc)の133W (Tc) N-ChannelのMOSFETsのトランジスター最大限に活用した転換の行動をである。

 

IMW65R057M1Hの指定

部品番号 IMW65R057M1H
FETのタイプ
N-Channel
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
650ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
35A (Tc)
タイプの取付け
穴を通して
パッケージ/場合
TO-247-3


IMW65R057M1Hの特徴

  • Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:650ボルト
  • ID -連続的な下水管の流れ:35 A
  • Rdsのオン下水管源の抵抗:74のmOhms
  • Vgs -ゲート源の電圧:- 5ボルト、+ 23ボルト
  • VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:5.7 V

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
SPC5675KFF0VMS2R SMD
SPC5604PEF1MLL6 LQFP100
SPC5646CCF0MLT1 LQFP208
SPC5567MVR132 BGA416
STM32L412RBI6 UFBGA64
10122665-101LF すくい

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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