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2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片

2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片
2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 Power Transistor 8-PowerVDFN Integrated Circuit Chip
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大画像 :  2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IAUC60N04S6N031H
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 8-PowerVDFN
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片

記述
部品番号: IAUC60N04S6N031H 様式の取付け: SMD/SMT
ID -連続的な下水管の流れ: 113 A Qg -ゲート充満: 23 NC
Pd -電力損失: 75 W Rdsのオン下水管源の抵抗: 3.1のmOhms

2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片

 

IAUC60N04S6N031Hの製品の説明

IAUC60N04S6N031Hは最大限に活用されたOptiMOS™6技術に基づいている。有価証券は3.0 mΩからの60Aの7.0 mΩそして高められたデータ用紙の現在の評価に広いRDSの()範囲を提供する。

 

IAUC60N04S6N031Hの指定

部品番号 IAUC60N04S6N031H
D (@25°C)最高 60 A
最高実用温度 -55 °C 175の°C
パッケージ PG-TDSON-8
QG(タイプ@10V)最高 23 NC
資格 自動車
RDS ()(@10V)最高 3.1 mΩ
技術 OptiMOS™-6
VDS最高 40ボルト
VGS (Th) 2.2 V;3ボルト


IAUC60N04S6N031Hの特徴

  • OptiMOS™ -自動車適用のための力MOSFET
  • 半橋- N-channel -強化モード-正常なレベル
  • AEC Q101は修飾した
  • 260°Cピークの退潮までのMSL1
  • 175°C実用温度
  • 緑プロダクト(迎合的なRoHS)
  • 100%のなだれはテストした

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
MSC025SMA120 モジュール
MSCSM170AM15CT3AG モジュール
MSCSM170AM23CT1AG モジュール
MSCSM170AM45CT1AG モジュール
MSCSM170AM058CD3AG モジュール
MSCSM170AM039CT6AG モジュール

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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