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MOSFETsのトランジスターMSC035SMA070B集積回路の破片TO-247-3のN-Channel

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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MOSFETsのトランジスターMSC035SMA070B集積回路の破片TO-247-3のN-Channel

MOSFETsのトランジスターMSC035SMA070B集積回路の破片TO-247-3のN-Channel
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: MSC035SMA070B
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

MOSFETsのトランジスターMSC035SMA070B集積回路の破片TO-247-3のN-Channel

記述
部品番号: MSC035SMA070B 実用温度(最高): 175°C (TJ)
ID -連続的な下水管の流れ: 77 A 技術: SiCFET (炭化ケイ素)
Qg -ゲート充満: 99 NC 実用温度(分): -55°C (TJ)

MOSFETsのトランジスターMSC035SMA070B集積回路の破片TO-247-3のN-Channel

 

MSC035SMA070Bの製品の説明

MSC035SMA070BはV 700、TO-247パッケージの35のmΩ SiC MOSFETである。速く、信頼できるボディ ダイオード、優秀ななだれの険しさ。

 

MSC035SMA070Bの指定

部品番号 MSC035SMA070B
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
700ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
77A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
20V
(最高) @ ID、VgsのRds
44mOhm @ 30A、20V
Vgs ((最高) Th) @ ID
2.7V @ 2mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
99 NC @ 20ボルト
Vgs (最高)
+25V、-10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
2010 pF @ 700ボルト


MSC035SMA070Bの接合部温度対VGS (Th)

MOSFETsのトランジスターMSC035SMA070B集積回路の破片TO-247-3のN-Channel 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
INA214BIDCKR SC70-6
IPB80N08S2-07 TO-263
PEX8748-CA80BCG FCBGA676
HMC346G8TR SMD
DS125BR800ANJYR WQFN-54
BSZ440N10NS3G TDSON-8

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
 

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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