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集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC

集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC
集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC 集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: CY15V102QSN-108SXI
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 8-SOIC
受渡し時間: 5-8仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC

記述
部分番号: CY15V102QSN-108SXI メモリ形式: 前方
マウントスタイル: SMD/SMT メモリタイプ: 不揮発性
時計の周波数: 108 MHz 動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)

集積回路の破片CY15V102QSN-108SXI 2MbitのFerroelectricランダム アクセス メモリIC 8-SOIC

 

CY15V102QSN-108SXIの製品の説明

CY15V102QSN-108SXIは151年間連続フラッシュおよび他の不揮発性メモリによって起こされる複雑さ、間接費およびシステム レベルの信頼性問題を除去している間信頼できるデータ保持を提供する。

 

CY15V102QSN-108SXIの指定

部品番号: CY15V102QSN-108SXI
SMD/SMT
2 Mbit
クォードSPI
256 k X 8
1.71 V
1.89 V
- 40 C
+ 85 C

 

CY15V102QSN-108SXIの特徴

  • ローパワー消費高速で
  • 108 MHz SPI SDRのための10 mA (タイプ)の活動的な流れ
  • 108 MHz QSPI SDRおよび54MHz QSPI DDRのための16 mA (タイプ)の活動的な流れ
  • 110のµA (タイプ)のスタンバイの流れ
  • 0.80のµA (タイプ)深い力モード流れ
  • 0.1のµA (タイプ)は流れモード冬眠する

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
NLSF457MU3TCG UDFN6
A8305SESTR QFN-16
ACS758KCB-150B-PFF CB-5
SPP11N65C3 TO-220
EP4CGX75DF27C8N FBGA-672
DS32EL0421SQE WQFN-48


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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