IGBTのトランジスター650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1集積回路の破片

IGBTのトランジスター650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1集積回路の破片

IKW20N65ET7XKSA1の製品の説明

IKW20N65ET7XKSA1は非常に柔らかい全評価されるEC7 （エミッター制御の）ダイオードと利用でき、かなり減らされたIGBTの飽和VCEsatおよび低いQrrを許可する。

IKW20N65ET7XKSA1の指定

IKW20N65ET7XKSA1の特徴

• 最高の接合部温度Tvjmax = 175°C

• ターゲット塗布のためにJEDECに従って修飾される

• Pbなしの鉛のめっき;迎合的なRoHS

他の供給の製品タイプ

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。