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S26HS512TGABHV010集積回路の破片512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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S26HS512TGABHV010集積回路の破片512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC

S26HS512TGABHV010集積回路の破片512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC
S26HS512TGABHV010集積回路の破片512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC

大画像 :  S26HS512TGABHV010集積回路の破片512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S26HS512TGABHV010
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

S26HS512TGABHV010集積回路の破片512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC

記述
部品番号: S26HS512TGABHV010 電圧 - 供給: 1.7V | 2V
敏感な湿気: そうだ テクノロジー: フラッシュ- (SLC)
メモリインターフェース: HyperBus パッケージ: 24-VBGA
ハイライト:

S26HS512TGABHV010

,

HyperBusの記憶集積回路の破片

,

HyperBus 200のMHzの記憶IC

破片の集積回路S26HS512TGABHV010 512Mbit HyperBus 200のMHzの記憶IC

 

S26HS512TGABHV010の製品の説明

S26HS512TGABHV010はISO 26262の標準に従って開発を用いる機能安全のためにASIL-Bの承諾およびASIL-Dの準備を達成するように設計されている。

 

S26HS512TGABHV010の指定

部品番号

S26HS512TGABHV010

記憶容量

512Mbit

記憶構成

64M x 8

記憶インターフェイス

HyperBus

クロック周波数

200のMHz


S26HS512TGABHV010特徴

  • 雑種

  • 構成1:アドレス空間は上か底で分かれる32の4KBセクターから残りのセクターがすべての256KBの間、成っている

  • 構成2:アドレス空間は均等に上と下の間で裂ける32の4KBセクターから残りのセクターがすべての256KBの間、成っている

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

5AGZME1H2F35C3N

BGA

ADSP-TS101SAB1Z100

BGA

BCM56338B1KFSBG

BGA

LT3980EMSE

MSOP16

PCA9685PW

TSSOP-28

SPA15N60C3

TO-220F

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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