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S70KL1282GABHB033電子集積回路128Mbit擬似SRAMの記憶IC

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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S70KL1282GABHB033電子集積回路128Mbit擬似SRAMの記憶IC

S70KL1282GABHB033電子集積回路128Mbit擬似SRAMの記憶IC
S70KL1282GABHB033 Electronic Integrated Circuits 128Mbit Pseudo SRAM Memory IC
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大画像 :  S70KL1282GABHB033電子集積回路128Mbit擬似SRAMの記憶IC

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S70KL1282GABHB033
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

S70KL1282GABHB033電子集積回路128Mbit擬似SRAMの記憶IC

記述
部品番号: S70KL1282GABHB033 敏感な湿気: そうだ
インターフェイス サポート: 1.8V 破烈させた読み書き消費電流: 22mA/25mA
記憶力: 128Mbit 頻度: 200 MHz
ハイライト:

S70KL1282GABHB033集積回路

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S70KL1282GABHB033

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128Mbit擬似SRAMの記憶IC

電子集積回路S70KL1282GABHB033 128Mbit擬似SRAMの記憶IC

 

S70KL1282GABHB033の製品の説明

S70KL1282GABHB033はこれらのトランザクション タイプすべてに最初の潜伏を配られたのためのあらゆる必要性の独立している新たになる、それ単に提供する固定(決定論の)最初の潜伏を固定した。

 

S70KL1282GABHB033の指定

部品番号:

S70KL1282GABHB033

頻度:

200のMHz

タイプの取付け:

表面の台紙

アクセス時間:

5.45 Ns

データ保全:

512Mb装置

セクター:

4KB


S70KL1282GABHB033特徴

  • 配列は新たになる

  • 部分的な記憶配列(1/8、1/4、1/2、等)

  • 完全な記憶配列

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

TLC7733QDR

SOP8

TCA4311DR

SOP8

TPS2034DR

SOIC-8

IR3508ZMTRPBF

QFN20

GN2004SCNE3

QFN-24

GN2003SCNE3

QFN24

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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