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集積回路の破片S70KL1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片S70KL1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC

集積回路の破片S70KL1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC
集積回路の破片S70KL1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC

大画像 :  集積回路の破片S70KL1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S70KL1283GABHV023
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-FBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片S70KL1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC

記述
部品番号: S70KL1283GABHV023 データ・バス: 8ビット
クロック レート: 200 MHz 頻度: 200 MHz
時計: 8 部分的な記憶配列: 1/8、1/4、1/2

統合回路チップ S70KL1283GABHV023 128Mbit 偽 SRAM メモリIC

 

S70KL1283GABHV023の製品説明

S70KL1283GABHV023デバイスは,高速 CMOS,自動リフレッシュ DRAM で,xSPI (オクトル) インターフェースを使用している.DRAM アレイは,定期的なリフレッシュを必要とするダイナミックセルを使用する.デバイス内のリフレッシュ制御ロジックは,xSPI インターフェースマスターによってメモリが積極的に読み書きされていないとき,DRAM アレイのリフレッシュ操作を管理する.

 

S70KL1283GABHV023の仕様

部分番号

S70KL1283GABHV023

メモリタイプ

揮発性

メモリ形式

PSRAM

テクノロジー

PSRAM (偽型SRAM)

メモリサイズ

128Mbit


特徴S70KL1283GABHV023

  • 1. 8V / 3.0V インターフェースサポート

  • 単端時計 - 11 バス信号

  • 選択可能な差点時計 - 12つのバス信号

  • チップを選択

  • 8ビットデータバス

  • ハードウェアリセット

 

ストックにある他の電子部品

部分番号

パッケージ

DS64EV400SQ

48-WQFN

AD5791BRUZ

TSSOP-20

MK11DX128AVLK5

LQFP80

MKL15Z128VFT4

QFN48

MPC8358ZQAGDDA について

BGA

BCM6518IPB

BGA

 

よくある質問

Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.
 

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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