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炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8

炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8
炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8 炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IMBG65R039M1HXTMA1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-8
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8

記述
部品番号: IMBG65R039M1HXTMA1 RDS (オン) (@ Tj = 25°C): 39 mΩ
VDS 最大: 650ボルト Qg -ゲート充満: 41 NC
ID -連続的な下水管の流れ: 54 A 技術: SiCFET (炭化ケイ素)

炭化ケイ素のトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1集積回路の破片TO-263-8

 

IMBG65R039M1HXTMA1の製品の説明

IMBG65R039M1HXTMA1は固体炭化ケイ素の技術に造られるN-Channel 650V CoolSiC M1 SiCの堀力装置である。

 

IMBG65R039M1HXTMA1の指定

部品番号 IMBG65R039M1HXTMA1
D (@25°C)最高 54 A
最高実用温度 -55 °C 175の°C
P幼児最高 211 W
極性 N
資格 産業


IMBG65R039M1HXTMA1の特徴

  • 代わり強く速いボディ ダイオード
  • 減らされたシステム費用および複雑さ
  • より高い強さおよび装置の信頼度

 

IMBG65R039M1HXTMA1の適用

  • サーバー
  • 電気通信
  • 転換の電源(SMPS)

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
PEX8733-CA80BC BGA
SN65LV1224BRHBT QFN-32
CS5480-INZR QFN24
IPG20N06S4L-14 TDSON-8
TL16C554FNR PLCC68
MC14538BDWR2G SOP16

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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