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破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター

破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター
破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター 破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター

大画像 :  破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: NTBG080N120SC1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-8
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター

記述
部品番号: NTBG080N120SC1 Drain−to−Sourceの電圧: 1200ボルト
Gate−to−Sourceの電圧: −15/+25 V 連続的な下水管の流れ: 30 A
電力損失: 179 W 脈打った下水管の流れ: 110 A

破片の集積回路NTBG080N120SC1 MOSFETの炭化ケイ素のトランジスター

 

NTBG080N120SC1の製品の説明

NTBG080N120SC1は抵抗および低いキャパシタンスおよびゲート充満を保障する密集した破片のサイズで低く特色になる。

 

NTBG080N120SC1の指定

部品番号

NTBG080N120SC1

N-Channel

1つのチャネル

1.2 kV

30 A

110のmOhms

- 15ボルト、+ 25ボルト

4.3 V

 

NTBG080N120SC1の特徴

  • 超低いゲート充満(タイプ。QG (幼児) = 56 NC)
  • 低く有効な出力キャパシタンス(タイプ。Coss = 79 pF)
  • 100%のなだれはテストした
  • TJ = 175°C

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

XC7K480T-2FFG1156C

BGA1156

THGBM1G5D2EBAI7

FBGA169

MP5010ADQ

QFN10

504528-0892

SMD

MKL26Z32VFT4

QFN48

PD69101ILQ

QFN24

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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