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商品の詳細:
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| 部品番号: | NTTFD4D0N04HLTWG | 技術: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 構成: | 2 N-Channel （二重） | パワー最高: | 1.7W （Ta）、26W （Tc） |
| タイプの取付け: | 表面の台紙 | ゲート充満: | 18 NC |
NTTFD4D0N04HLTWG Mosfetの配列40V 15Aの表面の台紙12-WQFNのトランジスター
NTTFD4D0N04HLTWGの製品の説明
NTTFD4D0N04HLTWG装置は二重パッケージにN−Channelの2つの専門にされたMOSFETsを含める。
NTTFD4D0N04HLTWGの指定
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部品番号 |
NTTFD4D0N04HLTWG |
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Vgs （（最高） Th） @ ID |
2V @ 50µA |
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
18nC @ 10V |
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds |
1100pF @ 20V |
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パワー最高 |
1.7W （Ta）、26W （Tc） |
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実用温度 |
-55°C | 150°C （TJ） |
NTTFD4D0N04HLTWGの特徴
最高rDS （） = 4.5 mのVGS = 10ボルト、ID = 10 A
最高rDS （） = 7つのmのVGS = 4.5、ID = 8.0 A
低いインダクタンス包装はより低い転換の損失に終る上昇/落下の時間を、短くする
他の供給の製品タイプ
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部品番号 |
パッケージ |
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IKCM30F60GD |
モジュール |
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EPM570GF256C5N |
BGA |
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NTTFS4928NTAG |
WDFN-8 |
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DIR9001IPWRQ1 |
TSSOP28 |
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AAT1145IDE-0.6 |
TDFN33-10 |
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TPS65181BRGZR |
VQFN-48 |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
