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集積回路の破片NVMFS5C612NWFT1GのN-Channelの単一のMOSFETsのトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片NVMFS5C612NWFT1GのN-Channelの単一のMOSFETsのトランジスター

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大画像 :  集積回路の破片NVMFS5C612NWFT1GのN-Channelの単一のMOSFETsのトランジスター

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: NVMFS5C612NWFT1G
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 5-DFN
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片NVMFS5C612NWFT1GのN-Channelの単一のMOSFETsのトランジスター

記述
部品番号: NVMFS5C612NWFT1G 連続的な下水管の流れ: 225 A
Gate−to−Sourceの電圧: ±20 V 脈打った下水管の流れ: 900A
ゲートの境界の電圧: 4V Turn−offの遅れ時間: 46.5 ns

集積回路の破片NVMFS5C612NWFT1GのN-Channelの単一のMOSFETsのトランジスター

 

NVMFS5C612NWFT1Gの製品の説明

NVMFS5C612NWFT1Gは力MOSFET単一のN−Channel、60V、1.65mΩである、225A Transistors.The装置はPb−Free、迎合的なRoHSである。

 

NVMFS5C612NWFT1Gの指定

部品番号

NVMFS5C612NWFT1G

62 NC

- 55 C

+ 175 C

167 W

強化

 

NVMFS5C612NWFT1Gの特徴

  • コンパクト デザインのための小さい足跡

  • 伝導の損失を最小にする低いRDS ()

  • 運転者の損失を最小にする低いQGおよびキャパシタンス

  • AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、

 

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

ADV7180BCP32Z

QFN32

IRS20954STRPBF

SOP16

FNC42060F

モジュール

LM48901SQ

WQFN-32

ADXRS620BBGZ

BGA32

ICM-20608D

QFN16

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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