1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター

1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター

IXYH55N120A4の製品の説明

IXYH55N120A4に正方形の逆バイアスの安全運転区域およびそれらを揺れ止めなしのハード切換えの適用にとって理想的にさせる650V絶縁破壊電圧がある。

IXYH55N120A4の指定

IXYH55N120A4の特徴

• 高いサージ電流の機能

• 正方形の逆バイアスの安全運転区域

• VCEの肯定的な熱係数（坐った）

• 低いゲート ドライブ条件

他の供給の製品タイプ

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。