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穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3

穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3
穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3 穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3

大画像 :  穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IXBH32N300
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3

記述
部品番号: IXBH32N300 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): 3000ボルト
現在-コレクター((最高) IC): 80A Vce () (最高) @ Vge、IC: 3.2V @ 15V、32A
パワー最高: 400 W 実用温度: -55°C | 150°C (TJ)

穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3

 

IXBH32N300の製品の説明

IXBH32N300は高圧の、高利得BIMOSFETTM単一両極MOSのトランジスターである。

 

IXBH32N300の指定

部品番号: IXBH32N300
製品カテゴリ: IGBTのトランジスター
Si
TO-247-3
穴を通して
単一
3つのkV
2.8 V
- 20ボルト、+ 20ボルト
80 A
400 W
- 55 C
+ 150 C


IXBH32N300のパッケージの輪郭

穴を通した集積回路の破片IXBH32N300単一のIGBTsのトランジスターTO-247-3 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
ISL1535IVEZ TSSOP28
LIS2DH12TR LGA12
505070-1610 SMD
505066-1610 SMD
505066-1210 SMD
505070-1210 SMD

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
  

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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