集積回路の破片STG200M65F2D8AGの自動車等級IGBTのトランジスター650V

集積回路の破片STG200M65F2D8AGの自動車等級IGBTのトランジスター650V

STG200M65F2D8AGの製品の説明

STG200M65F2D8AGはD8パッキングで自動車等級650Vの200A堀のゲート分野停止Mシリーズ低損失IGBT死ぬである。

STG200M65F2D8AGの指定

STG200M65F2D8AGの特徴

• 低損失シリーズIGBT
• 低いVCE （坐る） = 1.55ボルト（タイプ。）のIC = 200 A
• 肯定的なVCEの（坐った）温度係数
• 堅い変数配分
• 最高の接合部温度:TJ = 175 °C
• 6つのµsの最低の短絡の抵抗の時間のTJ = 150°C

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FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。