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集積回路の破片132-VBGAの表面の台紙MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eの記憶IC

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片132-VBGAの表面の台紙MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eの記憶IC

集積回路の破片132-VBGAの表面の台紙MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eの記憶IC
集積回路の破片132-VBGAの表面の台紙MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eの記憶IC

大画像 :  集積回路の破片132-VBGAの表面の台紙MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eの記憶IC

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: MT29F2T08EMLEEJ4-T:E
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 132-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片132-VBGAの表面の台紙MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eの記憶IC

記述
部分番号: MT29F2T08EMLEEJ4-T:E データ・バス幅: 8ビット
構成: 256 G X 8 記憶力: 2 Tbit
マウントタイプ: 表面マウント 動作温度: 0°C ~ 70°C

 統合回路チップ 132-VBGA 表面マウント MT29F2T08EMLEEJ4-T:E メモリIC

 

製品説明MT29F2T08EMLEEJ4-T:E

MT29F2T08EMLEEJ4-T:Eはページベースの操作でプログラムされ読み取られ,ブロックベースの操作で消去されます.

 

仕様 MT29F2T08EMLEEJ4-T:E

部分番号

MT29F2T08EMLEEJ4-T:E

メモリタイプ

不揮発性

メモリ形式

フラッシュ

テクノロジー

FLASH - NAND (TLC)

メモリサイズ

2Tbit

記憶 の 組織

256G × 8

メモリインターフェース

パラレル

電圧 - 供給

2.6V~3.6V

動作温度

0°C ~ 70°C


特徴 についてMT29F2T08EMLEEJ4-T:E

  • 運用完了

  • 合格/不合格条件

  • 書き込み保護状態

 

ストックにある他の電子部品

部分番号

パッケージ

PCA9955TW

TSSOP28

PCA9555PW

TSSOP24

W5500

LQFP-48

CX20778-10Z

QFN

ITG-1010

QFN16

SKY77902-11

QFN

 

よくある質問

Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

 

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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