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集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター

集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT4018KEC11
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター

記述
部品番号: SCT4018KEC11 テクノロジー: シック
様式の取付け: 穴を通して パッケージ/場合: TO-247N-3
トランジスター極性: N-Channel Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 1.2 kV

集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター

 

SCT4018KEC11の製品の説明

SCT4045DW7HRTLは750V 31A (Tc)の93W自動車等級のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター、パッケージであるTO-263-8である。

 

SCT4018KEC11の指定

 
部品番号: SCT4018KEC11
落下時間: 14 ns
前方相互コンダクタンス-分: 22 S
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 43 ns
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
典型的なTurn-Off遅れ時間: 50 ns
典型的なTurn-On遅れ時間: 15 ns

 

SCT4018KEC11の特徴

  • -源の電圧を流出させなさい:1200V
  • 脈打った下水管の流れ:179A
  • 連続的な下水管およびソース電流(Tc = 25°C):81A
  • 連続的な下水管およびソース電流(Tc = 100°C):57A

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
THS4522IPWR TSSOP16
AD2S90APZ PLCC-20
MCIMX6D4AVT08ADR FCBGA-624
KSH127TF TO-252
LTC2634IMSE-HMX10 MSOP10
W949D6KBHX5I FBGA

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
  

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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