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商品の詳細:
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| 部品番号: | SCTWA50N120 | Rdsのオン下水管源の抵抗: | 52のmOhms |
|---|---|---|---|
| Vgs -ゲート源の電圧: | -10V、+25V | VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 1.8 V |
| Qg -ゲート充満: | 122 NC | Pd -電力損失: | 318 W |
穴HiP247を通した1200V MOSFET SCTWA50N120のN-Channelの炭化ケイ素力MOSFET
SCTWA50N120の製品の説明
SCTWA50N120炭化ケイ素力MOSFET 1200 V、65 Aの59 mΩ （タイプ。、HiP247™の長い鉛のパッケージのTJ=150 °C）。
SCTWA50N120の指定
| 部品番号: | SCTWA50N120 | FETのタイプ: | N-Channel |
|---|---|---|---|
| 技術: | SiCFET （炭化ケイ素） | 源の電圧（Vdss）に流出させなさい: | 1200ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 65A （Tc） | ドライブ電圧（最高Rds、分Rds）: | 20V |
SCTWA50N120の特徴
SCTWA50N120の適用
他の供給の製品タイプ
| 部品番号 | パッケージ |
| A4970GLBTR | SOP24 |
| 88E1310 | QFN48 |
| A4980KLPTR | HTSSOP-28 |
| EFM32GG290F1024G | 112-BGA |
| EN2340QI | QFN68 |
| EN5337QI | QFN38 |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
