|
|
商品の詳細:
|
| 部品番号: | TW030N120C、S1F | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 2925 pF @ 800ボルト |
|---|---|---|---|
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 82 NC @ 18ボルト | Rdsのオン下水管源の抵抗: | 40ミリオーム |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 100ns | FETのタイプ: | N-Channel |
単一のFETsのMOSFETsのトランジスターTW030N120CのS1Fの集積回路の破片TO-247-3
TW030N120C、S1Fの製品の説明
TW030N120CのS1F 1200Vの炭化ケイ素MOSFETのトランジスター、パッケージは穴を通ってTO-247-3、である。
TW030N120C、S1Fの指定
| 部品番号: | TW030N120C、S1F | 技術: | SiCFET （炭化ケイ素） |
|---|---|---|---|
| 入れられたキャパシタンス: | 2925pF | ゲートの境界の電圧（分）: | 3V |
| 下水管の締切りの流れ（最高）: | 20µA | チャネルに包囲された熱抵抗（最高）: | 50°C/W |
TW030N120C、S1Fの特性曲線
在庫の他の電子部品
| 部品番号 | パッケージ |
| ZLNB2013Q16TC | QSOP-16 |
| STM32F107RBT6 | LQFP-64 |
| R5S72690RW266FP | QFP |
| HCTL-2001-A00 | DIP16 |
| APDS-9801 | SMD |
| ADC08B200CIVS | TQFP-48 |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
