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N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター

N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター
N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT4062KW7TL
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-7L
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター

記述
部品番号: SCT4062KW7TL 製品カテゴリ: MOSFET
FETのタイプ: N-Channel テクノロジー: シック
流出させなさいに源の電圧(Vdss): 1200ボルト 様式の取付け: SMD/SMT

N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター

 

SCT4062KW7TLの製品の説明

SCT4062KW7TLは1200V N-channel SiC力MOSFETのトランジスター、低いオン抵抗である。

 

SCT4062KW7TLの指定

部品番号: SCT4062KW7TL VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: 4.8 V
落下時間: 10 Ns トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
典型的なTurn-On遅れ時間: 4.4 Ns Rdsのオン下水管源の抵抗: 62 MOhms

 

典型的で一時的な熱インピーダンス対SCT4062KW7TLの脈拍幅

N-channel SiC力MOSFET SCT4062KW7TLの集積回路の破片TO-263-8のトランジスター 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
W25Q256FVFIG SOP-16
TPS5401DGQR MSOP-10
ADM3232EARUZ TSSOP-16
UCC28C45DR SOP8
AM26LV31EIDR SOP16
TPD7203F SOP24

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
  

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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