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SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター

SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター
SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター

大画像 :  SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT3080KRC14
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-4
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター

記述
部品番号: SCT3080KRC14 チャネルの数: 1つのチャネル
(最高) @ ID、VgsのRds: 104mOhm @ 10A、18V Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 1.2 kV
Vgs ((最高) Th) @ ID: 5.6V @ 5mA ID -連続的な下水管の流れ: 31 A

SCT3080KRC14 集積回路チップ TO-247-4 N チャネル SiC パワー MOSFET トランジスタ

 

商品説明SCT3080KRC14

SCT3080KRC14 は、低オン抵抗、1200V、31A N チャネル SiC パワー MOSFET トランジスタです。

 

の仕様SCT3080KRC14

部品番号: SCT3080KRC14 テクノロジー: SiCFET(炭化ケイ素)
パッケージ/ケース: TO-247-4 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 31A(Tc)
トランジスタの極性: Nチャンネル 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): 18V

 

代表的な出力特性(I)SCT3080KRC14

SCT3080KRC14集積回路の破片TO-247-4のN-Channel SiC力MOSFETのトランジスター 0

 

その他の電子部品の在庫

部品番号 パッケージ
バイパー25LN DIP7
BSZ019N03LS TSDSON-8
BSZ065N03LS TSDSON-8
PCM2906CDBR SSOP-28
AK4114VQ LQFP48
ATSAMD20G17A-AU LQFP48

 

よくある質問

Q: あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい、すべての製品はオリジナルであり、新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q: どの証明書をお持ちですか?
A: 当社は ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q: 少量の注文またはサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプルコストは注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: 注文した商品はどのように発送すればよいですか?安全ですか?
A: DHL、Fedex、UPS、TNT、EMS などの速達を使用して発送します。ご提案のフォワーダーも使用できます。製品は良好な梱包で安全性が確保されており、ご注文に対する製品の損傷については当社が責任を負います。
Q: リードタイムについてはどうですか?
A: 在庫のある部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいて納期を確認させていただきます。
 
 

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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