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商品の詳細:
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| 部品番号: | SCT4026DEC11 | RDS （） （タイプ。）: | 26mΩ |
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| 保存温度範囲: | -40°Cへの+175°C | Pd -電力損失: | 176 W |
| タイプの取付け: | 穴を通して | テクノロジー: | SiCFET （炭化ケイ素） |
集積回路の破片SCT4026DEC11 TO-247-3のN-Channel SiC MOSFETのトランジスター
SCT4026DEC11の製品の説明
SCT4026DEC11は速い逆の回復、N-Channel SiC MOSFETのトランジスター、パッケージであるTO-247-3である。
SCT4026DEC11の指定
| 部品番号 | SCT4026DEC11 |
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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SiCFET （炭化ケイ素）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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750ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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56A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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18V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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34mOhm @ 29A、18V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4.8V @ 15.4mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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94 NC @ 18ボルト
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Vgs （最高）
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+21V、-4V
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SCT4026DEC11のゲート充満測定回路
在庫の他の電子部品
| 部品番号 | パッケージ |
| BCM5893PC0KFBG | BGA |
| BCM5892PC0KFBG | BGA |
| BCM5892PD0KFBG | BGA |
| EL7585AILZ | QFN20 |
| W9425G6JB-5 | TFBGA60 |
| PI6C20400BLEX | TSSOP28 |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
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