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商品の詳細:
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| 部品番号: | SCT4062KRHRC15 | テクノロジー: | SiCFET （炭化ケイ素） |
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| ID -連続的な下水管の流れ: | 26 A | 電力損失: | 115 W |
| チャネルの数: | 1つのチャネル | Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 1.2 kV |
集積回路の破片SCT4062KRHRC15の分離した半導体のトランジスター
SCT4062KRHRC15の製品の説明
SCT4062KRHRC15 N-Channel力MOSFETは高性能操作に貢献するCUクリップ構造を特色にするコンパクト低損失MOSFETである。
SCT4062KRHRC15の指定
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部品番号 |
SCT4062KRHRC15 |
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（最高） @ ID、VgsのRds |
81mOhm @ 12A、18V |
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Vgs （（最高） Th） @ ID |
4.8V @ 6.45mA |
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
64 NC @ 18ボルト |
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Vgs （最高） |
+21V、-4V |
SCT4062KRHRC15の特徴
650V EモードGaNのFETs
抵抗で低い
高速切換え
作り付けESDの保護
信頼性が高い設計
他の供給の製品タイプ
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部品番号 |
パッケージ |
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MT62F1G64D4EK-023 AIT:B |
BGA |
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MT62F1G64D4EK-023 AUT:B |
BGA |
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MT62F1536M32D4DS-023 AIT:C |
BGA |
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MT62F1536M64D8EK-023重量:C |
BGA |
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MT62F2G64D8CZ-023重量:C |
BGA |
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MT62F3G32D8DV-023重量:C |
BGA |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
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ファックス: 86-0755-83957753
