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トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56

トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56
Transistors BUK6Y19-30PX P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors LFPAK56
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大画像 :  トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: BUK6Y19-30PX
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: LFPAK56
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56

記述
部品番号: BUK6Y19-30PX パッケージ/場合: パワーSO8 LFPAK56
シリーズ: 、AEC-Q101、TrenchMOS™自動車 全体の電力損失(Tmb = 25 °C): 66W
Vgs (最高): ±20V 技術: MOSFET (金属酸化物)

トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56

 

BUK6Y19-30PXの製品の説明

BUK6Y19-30PXは30V、45A (Ta)、66W (Ta)、P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスター、高い火力発電の消滅の機能である。

 

BUK6Y19-30PXの指定

部品番号
BUK6Y19-30PX
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
1260 pF @ 15ボルト
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
35 NC @ 10ボルト
電力損失(最高)
66W (Ta)
実用温度
-55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
SC-100、SOT-669


BUK6Y19-30PXのパッケージの輪郭

トランジスターBUK6Y19-30PX P-Channelの強化モードMOSFETのトランジスターLFPAK56 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
ESP32-S2-MINI-1-N4R2 SMD
ESP32-S2-MINI-1U-N4R2 SMD
STM32G061G6U6 28-UFQFPN
STM32G061G8U6 28-UFQFPN
STM32G061K6U6 32-UFQFPN
STM32G061K8U6 32-UFQFPN

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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