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単一のN-Channel MOSFETのトランジスターBUK9M31-60ELX LFPAK33集積回路の破片

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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単一のN-Channel MOSFETのトランジスターBUK9M31-60ELX LFPAK33集積回路の破片

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大画像 :  単一のN-Channel MOSFETのトランジスターBUK9M31-60ELX LFPAK33集積回路の破片

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: BUK9M31-60ELX
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: LFPAK33
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

単一のN-Channel MOSFETのトランジスターBUK9M31-60ELX LFPAK33集積回路の破片

記述
部品番号: BUK9M31-60ELX VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: 2.05 V
Vgs -ゲート源の電圧: - 10ボルト、+ 10ボルト Pd -電力損失: 70.2 W
Qg -ゲート充満: 12.8のNC 落下時間: 12.9のns

単一のN-Channel MOSFETのトランジスターBUK9M31-60ELX LFPAK33集積回路の破片

 

BUK9M31-60ELXの製品の説明

BUK9M31-60ELXは単一のN-channelのトランジスター、60ボルト、高められたSOAの技術を使用してLFPAK33の21のmOhmの論理のレベルMOSFETである。

 

BUK9M31-60ELXの指定

部品番号: BUK9M31-60ELX
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1つのチャネル
60ボルト
35 A
21のmOhms

 

BUK9M31-60ELXの特徴

  • 175 °CでAEC-Q101に修飾される十分に自動車
  • LFPAKの銅クリップ パッケージの技術:高い強さおよび現在の処理の機能
  • カモメの翼は容易なAOIの点検および例外的な取締役会レベルの信頼性のために導く
  • 改善された線形モード性能のための高められたSOAの技術

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
STM32G0C1RET6 LQFP64
STM32G0C1MCT6 LQFP80
STM32G0C1MET6 LQFP80
STM32G0C1VCT6 LQFP100
STM32G0C1VET6 LQFP100
STM32G0C1RCT6 LQFP64

 

FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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