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集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8

集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8
Integrated Circuit Chip NTBG025N065SC1 Silicon Carbide MOSFET Transistors TO-263-8
集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8 集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: NTBG025N065SC1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263-8
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8

記述
部品番号: NTBG025N065SC1 ID -連続的な下水管の流れ: 106 A
Rdsのオン下水管源の抵抗: 28.5のmOhms Vgs -ゲート源の電圧: - 8ボルト、+ 22ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: 4.3V Qg -ゲート充満: 164 NC

集積回路の破片NTBG025N065SC1の炭化ケイ素MOSFETのトランジスターTO-263-8

 

NTBG025N065SC1の製品の説明

NTBG025N065SC1は19mohm、650V、炭化ケイ素(SiC) MOSFET - EliteSiCのトランジスター、表面の台紙D2PAK-7である。

 

NTBG025N065SC1の指定

部品番号: NTBG025N065SC1
SiC
SMD/SMT
D2PAK-7L
N-Channel
1つのチャネル
650ボルト

 

NTBG025N065SC1の特徴

  • タイプ。RDS () = 19のm @ VGS = 18ボルト
  • タイプ。RDS () = 25のm @ VGS = 15ボルト
  • 超低いゲート充満(QG (幼児) = 164 NC)
  • 低い出力キャパシタンス(Coss = 278 pF)
  • 100%のなだれはテストした
  • TJ = 175°C
  • 迎合的なRoHS

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
MC908QVY4CDWER SOP16
VND5E160JTR HSSOP-12
EPM570F100A5N FBGA100
SAF7751HV TQFP176
MAX6414UK31 SOT23-5
XC2C64A-7QFG48C QFP-48

 

FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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