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統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ

統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ
統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ

大画像 :  統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: TK10A80E
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-220-3
受渡し時間: 5~8 営業日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ

記述
部品番号: TK10A80E FETのタイプ: N-Channel
テクノロジー: MOSFET (金属酸化物) 流出させなさいに源の電圧(Vdss): 800ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 10A (Ta) ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 10V

統合回路チップ TK10A80E NチャネルMOSFET 800V 10Aトランジスタ

 

製品説明 TK10A80E

TK10A80EはMOSFETのシリコンNチャネル800V 10A (Ta) 50W (Tc) トルーホールトランジスタです.

 

TK10A80Eの仕様

部分番号

TK10A80E

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ Id

4V @ 1mA

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (最大)

±30V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2000 pF @ 25 V

電力消耗 (最大)

50W (Tc)

動作温度

150°C (TJ)

マウントタイプ

穴を抜ける

 

TK10A80Eの特徴

  • 低排水源のオン抵抗: RDS ((ON) = 0.7 Ω (典型)

  • 低流出電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 640 V)

  • 強化モード:Vth = 2.5 から 4.0 V (VDS = 10 V,ID = 1 mA)

 

TK10A80Eの用途

  • スイッチする電圧調節器

 

ストックにある他の電子部品

部分番号

パッケージ

R5F3650ENFB

LQFP-100

SBRD8340T4G

TO-252

NRVBD660CTT4G

TO-252

SBRD81045T4G

TO-252

STD5407NT4G

TO-252

TPS60230RGTR

QFN-16

 

よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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