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統合回路チップ STL33N60DM2 Nチャネル パワー MOSFET トランジスタ 8PowerVDFN

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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統合回路チップ STL33N60DM2 Nチャネル パワー MOSFET トランジスタ 8PowerVDFN

統合回路チップ STL33N60DM2 Nチャネル パワー MOSFET トランジスタ 8PowerVDFN
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大画像 :  統合回路チップ STL33N60DM2 Nチャネル パワー MOSFET トランジスタ 8PowerVDFN

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: STL33N60DM2
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 8-パワーVDFN
受渡し時間: 5~8 営業日
支払条件: T/T,L/C,ウェスタンユニオン

統合回路チップ STL33N60DM2 Nチャネル パワー MOSFET トランジスタ 8PowerVDFN

記述
部品番号: STL33N60DM2 流出電圧から源電圧 (Vdss): 600V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V 電力損失(最高): 150W (Tc)
マウントタイプ: 表面マウント 動作温度: -55°C | 150°C (TJ)

統合回路チップ STL33N60DM2 Nチャネル パワー MOSFET トランジスタ 8PowerVDFN

 

STL33N60DM2の製品説明

STL33N60DM2高電圧NチャネルパワーMOSFETトランジスタはMDmeshTM DM2高速復元ダイオードシリーズの一部である.

 

STL33N60DM2の仕様

部品番号: STL33N60DM2
そうだ
SMD/SMT
パワーFLAT-8x8-5
Nチャンネル
1 チャンネル
600V
21A
115mOhms
- 25V, + 25V
3V
43年
- 55°C
+150C
150W
強化

 

STL33N60DM2の特徴

  • 速復体ボディダイオード
  • 非常低のゲート電荷と入力容量
  • 低抵抗
  • 100%の雪崩テスト
  • 非常に高い dv/dt 耐久性
  • ゼナー保護

 

STL33N60DM2の用途

  • アプリケーションの切り替え

 

ストックにある他の電子部品

部分番号 パッケージ
UCC28C43QDRQ1 SOP8
AD9364BBCZ BGA144
BCM89834A0BFBG BGA
UCC28C45QDRQ1 SOP-8
WL1835MODGBMOCR QFM100
CC2650MODAMOHR QFM-29

 

よくある質問
Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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