商品の詳細:
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部分番号: | GTVA262701FA-V2-R2 | 利益: | 17dB |
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電圧-テスト: | 48V | 現在-テスト: | 320 mA |
電力 - 輸出: | 270W | 定数電圧: | 125V |
統合回路チップ GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN SiC HEMTトランジスタ
製品説明GTVA262701FA-V2-R2
GTVA262701FA-V2-R2は,マルチスタンダードセルラー電源増幅器アプリケーションで使用するためのSiC高電子移動トランジスタ (HEMT) の270ワットGaNである.耳のないフレンズ付き,表面を熱的に強化したパッケージ.
仕様についてGTVA262701FA-V2-R2
部品番号: | GTVA262701FA-V2-R2 |
HEMT | |
ガン・オン・シ・C | |
2.496 GHz から 2.69 GHz | |
17 dB | |
Nチャンネル | |
125V | |
- 10Vから2V | |
12A | |
270W | |
+225C | |
フレンズマウント | |
H-87265J-2 | |
適用: | 細胞電源増幅器 |
特徴GTVA262701FA-V2-R2
• SiC HEMT 技術の開発
• 入力が一致する
• 典型的なCWパルス性能: 10 μs パルス幅, 10% デューティサイクル, 2690 MHz, 48 V
- P3dB = 270 W の出力
- 効率は66%
- 増幅 = 18.1 dB
• 人体モデルクラス 1B (ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 に基づく)
● 10:1 VSWR @48 V, 60 W (WCDMA) の出力に対応する
• Pb の ない,RoHS に 準拠 する
ストックにある他の電子部品
部分番号 | パッケージ |
MAX98360AENL | WLP-9P |
TAS6421QDKQRQ1 | HSSOP-56 |
ISO7763FQDBQRQ1 | SSOP-16 |
AR0144CSSM20SUKA0-CPBR | ODCSP-69 |
NCV8402AMNWT1G | DFN-6 |
TPSM828214SILR | USIP-10 |
よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A:はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q:私の注文をどのように送りますか?安全ですか?
A:我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船にエクスプレスを使用します.我々はまた,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品ダメージに対して責任を負います.
Q:リードタイムはどうですか?
A:我々は5日以内にストックパーツを輸送することができます. ストックがない場合は,私たちはあなたの注文量に基づいてあなたのためのリード時間を確認します.
コンタクトパーソン: Sales Manager
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