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商品の詳細:
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| 部品番号: | MT3E512M64D2HJ-046 WT:B | 電圧 - 供給: | 1.06V | 1.17V |
|---|---|---|---|
| 動作温度: | -25°C | 85°C （TC） | アクセス時間: | 3.5 ns |
メモリICチップ MT53E512M64D2HJ-046 WT:B 32Gbit パラレル 2.133 GHz 3.5 ns メモリIC
製品説明MT3E512M64D2HJ-046 WT:B
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B 32Gb 低消費量SDRAM (LPDDR4) は高速CMOS動的ランダムアクセスメモリである.メモリデバイスは,電池駆動アプリケーションの消費電力の問題を解決するために最適化されていますLPDDR4メモリデバイスは,一部のアプリケーションのBOMを保存するためにx16,x32,x64の構成を最適化します.
仕様MT3E512M64D2HJ-046 WT:B
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メモリタイプ |
揮発性 |
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メモリ形式 |
DRAM |
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テクノロジー |
SDRAM - モバイルLPDDR4X |
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メモリサイズ |
32Gbit |
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メモリインターフェース |
パラレル |
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時計の周波数 |
2.133 GHz |
ストックにある他の電子部品
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部分番号 |
パッケージ |
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STO33N60M6 |
8-パワーSFN |
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STB45N60DM2AG |
D2PAK |
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STB33N60DM6 |
D2PAK |
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STO67N60M6 |
8-パワーSFN |
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STL33N60DM6 |
8-パワーVDFN |
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STO47N60M6 |
8-パワーSFN |
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SCT060HU75G3AG |
HU3PAK |
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STH60N099DM9-2AG |
H2PAK-2 |
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TSB182IYST |
8-MiniSO |
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TSZ151ICT |
SOT-323-5 |
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TSB624IYPT |
14-TSSOP |
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TSZ151IYCT |
SOT-323-5 |
|
TSB514IYPT |
14-TSSOP |
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LM2902BYPT |
14-TSSOP |
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TSL6002IST |
8-MiniSO |
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TSB512IDT |
8-SOIC |
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TSB622IDT |
8-SOIC |
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TSL6202IST |
8-MiniSO |
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LM2902YQ5T |
16-QFN |
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LM2904BYDT |
8-SOIC |
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LM2903BYPT |
8-TSSOP |
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LM2904YQ6T |
8-DFN |
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LM2903WST |
8-MiniSO |
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TSB182IDT |
8-SOIC |
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TSB182IYDT |
8-SOIC |
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TSB624IDT |
14-SOIC |
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TSB624IYDT |
14-SOIC |
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FDA903S-6DT |
32VFQFPN |
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FDA803S-6DT |
32VFQFPN |
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LM2904HYPT |
8-TSSOP |
よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A:はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q:私の注文をどのように送りますか?安全ですか?
A:我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船にエクスプレスを使用します.我々はまた,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品ダメージに対して責任を負います.
Q:リードタイムはどうですか?
A:我々は5日以内にストックパーツを輸送することができます. ストックがない場合は,私たちはあなたの注文量に基づいてあなたのためのリード時間を確認します.
コンタクトパーソン: Sales Manager
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