商品の詳細:
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部分番号: | STL26N60DM6 | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 600V |
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電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 15A (Tc) | 電力損失(最高): | 110W(TC) |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 215mOhm @ 7.5A, 10V | 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
STL26N60DM6 集積回路チップ 600V 15A MDmesh DM6 パワー MOSFET トランジスタ
STL26N60DM6の製品説明
STL26N60DM6高電圧Nチャネル電源MOSFETはMDmesh DM6高速復元ダイオードシリーズの一部である.以前のMDmesh高速世代と比較して,DM6は非常に低い復元電荷 (Qrr) を組み合わせ, recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
STL26N60DM6の仕様
部品番号: | STL26N60DM6 |
そうだ | |
SMD/SMT | |
パワーFLAT-8x8-5 | |
Nチャンネル | |
1 チャンネル | |
600V | |
15A | |
215mOhms | |
- 25V, + 25V | |
3.25V | |
24 nC | |
- 55 °C | |
+ 150 °C | |
110W | |
強化 | |
MDメッシュ | |
構成: | シングル |
秋の時間 | 8 ns |
製品タイプ: | MOSFET |
昇る時間: | 11 ns |
STL26N60DM6の特徴
速復体ボディダイオード
前世代と比較して,面積あたりRDS (オン) が低い
低ゲート電荷,入力容量,抵抗
100%の雪崩テスト
非常に高い dv/dt 耐久性
ゼナー保護
STL26N60DM6の用途
アプリケーションを切り替える
ストックにある他の電子部品
部分番号 | パッケージ |
MPQ3432GLE-AEC1 | QFN-13 |
MP4323GDE | QFN-12 |
MPQ7200AGLE-AEC1 | QFN-19 |
MPM3632CGQV | QFN-20 |
MP6619LGQ | 19VFQFN |
MPQ4313GRE-5-AEC1 | QFN-20 |
MPQ4313GRE-AEC1 | QFN-20 |
MPQ4430GLE-AEC1 | QFN-16 |
MP6605DGR-P | QFN-24 |
MP8009GV | QFN-28 |
MPQ5066GQV-AEC1 | QFN-22 |
MP4865AGBD | BGA-144 |
MPQ5069GQV-AEC1 | QFN-22 |
MPM3509BGQVE-AEC1 | 17-QFN |
MPQ4480GV-AEC1 | QFN-25 |
MP2152GQFU-18 | UTQFN-6 |
MPQ8904DD-AEC1-LF | QFN-8 |
MPM3506AGQV | QFN-19 |
MPM3810GQB-12 | QFN-12 |
MPQ2124GD-AEC1 | QFN-11 |
MP4571GQB | QFN-12 |
MP9842GL | QFN-16 |
MPQ4323CGRHE-33-AEC1 | QFN-14 |
MPQ4323CGRHE-5-AEC1 | QFN-14 |
MP4321GDE | 12-QFN |
MP3437GRP | 10-QFN |
MPQ8626GD | 14-QFN |
MP4316GRE | 20QFN |
MP8770CGQ | 16-QFN |
MPQ4571GQBE-AEC1 | 12-QFN |
よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A:はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q:私の注文をどのように送りますか?安全ですか?
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