PAFSC5G35E37R9 統合回路チップ パワーアンプ モジュール LTE と 5G

PAFSC5G35E37R9 統合回路チップ パワーアンプ モジュール LTE と 5G

PAFSC5G35E37R9の製品説明
PAFSC5G35E37R9は,5GおよびLTEアプリケーションのために設計された高性能電力増幅機モジュールで,現在のRFフロントエンド技術の最新の状態を表しています.このモジュールは先進的なLDMOS (横向的に拡散した金属酸化半導体) プロセス技術を使用して製造され,クラスABとクラスCの動作モードに属しています.優れた追加電力効率 (PAE) と線性性能を提供します.

基本パラメータの観点から,PAFSC5G35E37R9の動作周波数帯は3400MHzから3600MHzをカバーする.この周波数帯はn78周波数帯 (3.3-3.5G NR と一部の LTE 周波数帯典型的な運用条件下では,このモジュールは45.8%の高効率のパフォーマンスを提供できます.市場における同類製品の平均値約30%よりも著しく優れている.2350MHz のテスト周波数で 34.5 dB に達し,優れた信号増幅能力を示しています.

PAFSC5G35E37R9の電源処理は同様に印象的です.モジュールは 44.8 dBm (約 30.2 W) の典型的なP3dB (1dB圧縮点出力) を有します.平均出力5W3で良好な線形性を維持しているこの機能により,LTEおよび5G信号のピーク・平均比 (PAR) 特性に対応できます.高ダイナミックレンジの信号増幅のための現代通信システムの厳しい要求を満たす標準的な電圧は28Vで,効率と複雑性のバランスをとっています.

システム統合の観点から,PAFSC5G35E37R9は,RFフロントエンド3の設計の複雑さを簡素化する,入力と出力インペダンスマッチングデザインを採用しています.この統合設計は,外部マッチングネットワークの必要性を減らすこのモジュールは,LTE信号に最適化され,テストされています.優れたACLR (隣接チャネル漏洩比) とEVM (エラーベクター振幅) のパフォーマンスを様々なモジュレーション形式 (QPSKなど) で確保する16QAM,64QAM) について説明します.

市場にある他の5G電源増幅機,例えばハンウェイオプトエレクトロニクスのHWA1330 (n78帯域,PAE > 30%) 8またはANADIGICSのALT6704 (1710-1785MHz,効率が40%高い) と比較すると,3つのグループでよりバランスのとれたパフォーマンスを示しています..4〜3.6 GHz周波数帯,特に効率と線形性の総合指標において業界をリードする位置.この性能の利点は,小型5Gベースステーションにとって好ましいソリューションとなっています.,リレー機器,高密度のネットワーク展開シナリオ

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よくある質問
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