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商品の詳細:
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| 部品番号: | TC58NYG2S0HBAI4 | テクノロジー: | FLASH - NAND (SLC) |
|---|---|---|---|
| メモリサイズ: | 4Gbit | 記憶 の 組織: | 512M x 8 |
| サイクルの時間 - 単語,ページ: | 25ns | 電圧 - 供給: | 1.7V~1.95V |
TC58NYG2S0HBAI4 メモリICチップ 4Gbit NANDフラッシュメモリIC TFBGA63
TC58NYG2S0HBAI4 の製品概要
TC58NYG2S0HBAI4 は、(4096 + 256) バイト 64 ページ 2048 ブロックとして構成された、シングル1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 ビット) NAND 電気的消去/プログラム可能読み出し専用メモリ (NAND E2PROM) です。
TC58NYG2S0HBAI4 は、4352 バイトの静的レジスタを 2 つ備えており、プログラムデータと読み出しデータを 4352 バイト単位でレジスタとメモリセルアレイの間で転送できます。消去操作は、単一ブロック単位 (256 Kbytes + 16 Kbytes: 4352 バイト x 64 ページ) で実装されます。
TC58NYG2S0HBAI4 の仕様
| 部品番号: | TC58NYG2S0HBAI4 |
| 製品カテゴリ: | NANDフラッシュ |
| SMD/SMT | |
| TFBGA-63 | |
| 4 Gbit | |
| パラレル | |
| 512 M x 8 | |
| 同期 | |
| 8 ビット | |
| 1.7 V | |
| 1.95 V | |
| 30 mA | |
| - 40 ℃ | |
| + 85 ℃ | |
| アクティブ読み出し電流 - 最大: | 30 mA |
TC58NYG2S0HBAI4 の特徴
構成 x8
メモリセルアレイ: 4352 x 128K x 8
レジスタ: 4352 x 8
ページサイズ: 4352 バイト
ブロックサイズ: (256K x 16K) バイト
電源 - VCC: 1.7V ～ 1.95V
512 バイトごとに 8 ビット ECC が必要です。
在庫のその他の電子部品
| 部品番号 | パッケージ |
| GS66506T-MR | GaNPX |
| GS61008P-MR | GaNPX |
| GS66508B-MR | GaNPX |
| GS61008P-TR | GaNPX |
| GS66502B-TR | GaNPX |
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| GS66506T-TR | GaNPX |
| GS-065-060-5-B-A-MR | GaNPX |
| GS61004B-TR | GaNPX |
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| GS61004B-MR | GaNPX |
| GS-065-030-2-L-TR | PDFN |
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| GS66516T-MR | GaNPX |
| GS-065-060-5-T-A-TR | GaNPX |
| GS-065-008-1-L-TR | PDFN |
| GS-065-060-5-B-A-TR | GaNPX |
| BGM240SB22VNA2 | 48-LFQFN MODULE |
| BGM240SA22VNA2 | 48-LFQFN MODULE |
| MGM240SD22VNA2 | MODULE |
| BGM240PB32VNN3R | MODULE |
| MGM240PA32VNN3R | MODULE |
| BGM240PB22VNA3R | MODULE |
| MGM240PA22VNA3R | MODULE |
| MGM240PA32VNA3R | MODULE |
| BGM240PA22VNA3R | MODULE |
FAQ
Q. 製品は正規品ですか？
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Q: どのような証明書をお持ちですか？
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Q: 注文の発送方法は？安全ですか？
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