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IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ OptiMOS 5 線形FET 100V Nチャネルトランジスタ 低RDS (オン) とWide SOA

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認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ OptiMOS 5 線形FET 100V Nチャネルトランジスタ 低RDS (オン) とWide SOA

IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ OptiMOS 5 線形FET 100V Nチャネルトランジスタ 低RDS (オン) とWide SOA
IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ OptiMOS 5 線形FET 100V Nチャネルトランジスタ 低RDS (オン) とWide SOA

大画像 :  IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ OptiMOS 5 線形FET 100V Nチャネルトランジスタ 低RDS (オン) とWide SOA

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IPM018N10NM5LF2
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 標準パッケージ
受渡し時間: 3~5 営業日
支払条件: t/t
供給の能力: 日あたり1万個
連絡先

IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ OptiMOS 5 線形FET 100V Nチャネルトランジスタ 低RDS (オン) とWide SOA

記述
ハイライト:

IPM018N10NM5LF2 統合回路チップ

,

IPM018N10NM5LF2

IPM018N10NM5LF2 集積回路チップ OptiMOS 5 シングルNチャネル線形FET 2トランジスタ
IPM018N10の製品概要

IPM018N10は,2×100Vで評価された8x8mTOLGパッケージのクラス最高のOptiMOSTM 5線形フィールド効果トランジスタ (FET) で,業界最低RDS (オン) と25°Cの広いSOAを提供しています.これはJEDEC認定のパッケージです,他の8×8mm2のメイル翼パッケージMOSFETと互換性があり,LFPAK88型である.OptiMOSTM 5 Linear FET 2 テクノロジと mTOLG パッケージの組み合わせは,電流保護アプリケーションのための最も高い電源密度を提供するように設計されています熱交換,電子ファイューズ,バッテリー管理システム (BMS) のバッテリー保護など

IPM018N10の主要特徴
  • ホットスワップと電子ファイューズ用には最適
  • RDS (オン) の電圧抵抗が非常に低い
  • 広範囲の安全な操作領域 SOA
  • 低VGS (th) 幅
  • 改善された流通共有
  • Nチャネル,通常のレベル
  • 100%の雪崩テスト
  • Pb-free 鉛塗装; RoHS に準拠する
  • IEC61249‐2‐21 によるハロゲンフリー
IPM018N10の応用
  • サーバーの電源ソリューション
  • 電気通信インフラ
  • バッテリー管理システム (BMS)
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製品タグ
IPM018N10NM5LF2,IPM018N10NM5LF,IPM018N10NM5L,IPM018N10NM5,IPM018N10NM,IPM018N10N,IPM018N10N
よく 聞かれる 質問
あなたの製品はオリジナルですか.
そう,すべての製品はオリジナルで,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
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はい,私たちはサンプル注文と小規模な注文をサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
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タグ:

集積回路の破片24-PQFN,

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コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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