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商品の詳細:
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| 部品番号: | SIZF918DT-T1-GE3 | Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧:: | 30V |
|---|---|---|---|
| Id - 連続ドレイン電流:: | 40 a、60 a | Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗:: | 6.8 Mohms、2.7 Mohms |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧:: | -12 V、 + 16 V | Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧:: | 1.1 V、1 V |
| ハイライト: | 30V デュアルNチャネル MOSFET チップ,ショットキーダイオード付き MOSFET,保証付きの統合回路チップ |
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SIZF918DT-T1-GE3は,ショットキーダイオード付きのダブルNチャネル30VMOSFETです.
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
|---|---|
| 構成 | 2 Nチャンネル (ダブル) ショットキー |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 23A (Ta),40A (Tc),35A (Ta),60A (Tc) |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.4V @ 250μA,2.3V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 22nC @ 10V 56nC @ 10V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1060pF @ 15V,2650pF @ 15V |
| パワー - マックス | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| AGFA019R24C2I3V | FBGA-2340 |
| AGFA019R31C2E3V | FBGA-3184 |
| AGFA019R31C2E3E | FBGA-3184 |
| AGFA019R31C2I3E | FBGA-3184 |
| AGFA019R31C3I3E | FBGA-3184 |
| AGFA019R24C2I2VB | FBGA-2340 |
| AGFA019R24C3E3V | BGA-2340 |
| AGFA019R24C2E4X | BGA-2340 |
| AGFA019R24C2I1VB | BGA-2340 |
| AGFA019R24C3I3E | BGA-2340 |
| AGFA019R25A1I1V | FBGA-2581 |
| AGFA019R25A1E1V | FBGA-2581 |
| AGFA022R24C2E1V | FBGA-2340 |
| AGFA022R24C2E3E | FBGA-2340 |
| AGFA022R24C2E4X | FBGA-2340 |
| AGFA022R24C2I3V | FBGA-2340 |
| AGFA022R31C3E4X | FBGA-3184 |
| AGFA022R24C2E1VB | BGA-2340 |
| AGFA022R25A1I1V | FBGA-2581 |
| AGFA022R25A2E4F | FBGA-2581 |
| AGFA022R25A2I3E | FBGA-2581 |
| AGFA022R25A3E3E | FBGA-2581 |
| AGFA022R24C3E3V | FBGA-2340 |
| AGFA022R24C3I3E | FBGA-2340 |
| AGFA022R31C2E2V | FBGA-3184 |
| AGFA022R31C2I3E | FBGA-3184 |
| AGFA022R24C2I2VB | FBGA-2340 |
| AGFA022R25A1E1V | FBGA-2581 |
| AGFA022R24C2I1V | FBGA-2340 |
| AGFA022R31C2I1V | FBGA-3184 |
コンタクトパーソン: Sales Manager
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