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商品の詳細:
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| 部品番号: | STD10NM60N | トランジスタ極性:: | nチャネル |
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| チャネルの数:: | 1チャンネル | Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧:: | 600 V |
| Id - 連続ドレイン電流:: | 10 A | Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗:: | 550のmOhms |
STD10NM60N Integrated Circuit Chip N-Channel 600V 10A 530mΩ MOSFET Transistors Product Description Of STD10NM60N STD10NM60N is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Specifications Of STD10NM60N
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