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商品の詳細:
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| 部品番号: | IRLR3636TRPBF | パッケージ /ケース: | DPAK-3 (TO-252-3) |
|---|---|---|---|
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 60V | ID -連続的な下水管の流れ: | 99A |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 6.8モム | Qg -ゲート充満: | 49 NC |
| ハイライト: | 60VパワーMOSFETトランジスタ,99A HEXFETトランジスタ,6.8 mOhms NチャネルMOSFET |
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IRLR3636TRPBFは,D-Pakパッケージの60V,HEXFETシングルNチャンネル電源MOSFETトランジスタである.StrongIRFETTM電源MOSFETファミリーの一部であり,低RDS(オン) と高電流能力に最適化されている.
このコンポーネントは,性能と耐久性を要求する低周波アプリケーションに最適です.包括的なポートフォリオは,DCモーター,バッテリー管理システムDC-DCコンバーター
| シリーズ | HEXFET® |
|---|---|
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 100μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±16V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| 電力消耗 (最大) | 143W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | TO-252AA (DPAK) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3,DPAK (2リード+タブ),SC-63 |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| MC32PF1510A4EP | QFN-40 |
| MC34PF1510A7EP | QFN-40 |
| MFS5600AMEA0ES | 32HVQFN |
| MFS8603BMBA0ES | HVQFN-48 |
| MFS8623BMDA0ES | HVQFN-48 |
| MC34PF1550A8EP | QFN-40 |
| MC32PF1550A7EP | QFN-40 |
| MC34PF8100CFEP | 56-VFQFN |
| MC34PF8101A0EP | HVQFN-56 |
| MC33PF8100EQES | 56-HVQFN |
| MC34PF8100CCEP | 56-HVQFN |
| MC34PF1550A7EP | 40HVQFN |
| MC34PF1550A3EP | 40VFQFN |
| MC32PF1550A2EP | 40HVQFN |
| MC32PF1550A6EP | 40HVQFN |
| MC32PF1550A8EP | 40VFQFN |
| MC32PF3001A7EP | 48-HVQFN |
| MC34PF8100EREP | 56-HVQFN |
| MC34PF1550A5EP | 40VFQFN |
| MC34PF1550A6EP | 40VFQFN |
| MC34PF3001A5EP | 48-VFQFN |
| MC33PF8100CHES | 56-VFQFN |
| MC32PF1550A5EP | 40VFQFN |
| MC34PF3000A8EP | 48-VFQFN |
| MPF7100BVMA0ES | 48-VFQFN |
| MC35FS6508CAE | 48-LQFP |
| MPF7100BVBA3ES | 48-VFQFN |
| MPF7100BVBA1ES | 48-VFQFN |
| MC34PF8100F3EP | 56-VFQFN |
| MC33PF8200ESES | 56-VFQFN |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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