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IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance

IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance
IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance

大画像 :  IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance

商品の詳細:
Place of Origin: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: IRFP90N20DPBF
お支払配送条件:
Minimum Order Quantity: 10
価格: Contact for Sample
Packaging Details: TO-247-3
Delivery Time: 5-8 work days
Payment Terms: T/T,L/C,Western Union

IRFP90N20DPBF Power MOSFET Transistor 200V Drain-Source Voltage 94A Continuous Drain Current 23mOhm Drain-Source Resistance

記述
Part Number: IRFP90N20DPBF Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Id - Continuous Drain Current: 94 A Rds On - Drain-Source Resistance: 23 mOhms
Qg - Gate Charge: 180 nC Pd - Power Dissipation: 580 W
ハイライト:

200V Drain-Source Voltage Power MOSFET

,

94A Continuous Drain Current MOSFET Transistor

,

23mOhm Drain-Source Resistance N-Channel MOSFET

IRFP90N20DPBF Integrated Circuit Chip 200V Single N-Channel Power MOSFET Transistors
Product Description

IRFP90N20DPBF is a 200V, Single N-Channel Power MOSFET Transistor in a TO-247 package. This component supports various applications including DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches, and battery-powered applications. Available in both surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for design flexibility.

Specifications
Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 580W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AC
Package / Case TO-247-3
Key Features
  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard through-hole power
  • High current rating
Applications

High frequency DC-DC converters

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Frequently Asked Questions
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A: We are ISO 9001:2015 Certified Company and member of ERAI.
Q: Can you support small quantity order or sample? Is the sample free?
A: Yes, we support sample orders and small orders. Sample cost varies according to your order or project.
Q: How to ship my order? Is it safe?
A: We use express shipping services such as DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. We can also use your suggested forwarder. Products are packed securely and we take responsibility for any damage to your order.
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A: We can ship stock parts within 5 working days. For out-of-stock items, we will confirm lead time based on your order quantity.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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