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IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature
IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

大画像 :  IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IRF100P219
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-3
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタンユニオン

IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

記述
部品番号: IRF100P219 シリーズ: StrongIRFETTM
流出電圧から源電圧 (Vdss): 100 V 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 203A(Tc)
電力散逸(最大): 3.8W (Ta),341W (Tc) 動作温度: -55℃~175℃
ハイライト:

100V Drain to Source Voltage Power MOSFET Transistor

,

203A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

175°C Operating Temperature StrongIRFET™ MOSFET

IRF100P219 Integrated Circuit Chip 100V StrongIRFET™ Single N-Channel Power MOSFET Transistors
The IRF100P219 is a 100V StrongIRFET™ Single N-Channel Power MOSFET Transistor in a TO-247 package, designed for high-performance power applications.
Product Specifications
Parameter Value
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 203A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12020 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO247-3
Package / Case TO-247-3
Key Features
  • Very low on-resistance Rds(on)
  • Excellent gate charge x Rds(on) (FOM)
  • Optimized Qrr
  • 175°C operating temperature
  • Product validation according to JEDEC standard
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
Performance Benefits
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
  • Lead-Free; RoHS Compliant; Halogen-Free
Applications
  • Battery energy storage (BESS)
  • DIN rail power supply solutions
  • Telecommunications infrastructure
  • 1-phase string inverter solutions
  • Uninterruptible power supplies (UPS)
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Part Number Package
MAX22515ATG 24-WFQFN
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電話番号: 86-13410018555

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